Medida del espesor de películas de ZnSe por la técnica de interferencia
Analíticas: Mostrar analíticasTipo de contenido:- texto
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En: Noos (nro. 17, Sep. 2003), p. 131-137S.T.:H(066) UNCOL PP4226
En el trabajo se presentan la técnica experimental y los fundamentos teóricos para obtener el espesor de las películas de ZnSe crecidas sobre substratos de GaAs formando lo que se denomina una heteroestructura.
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En el trabajo se presentan la técnica experimental y los fundamentos teóricos para obtener el espesor de las películas de ZnSe crecidas sobre substratos de GaAs formando lo que se denomina una heteroestructura.
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