| 000 | 00798nab a22002297 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | H621.3 REV | ||
| 003 | AR-sfUTN | ||
| 008 | 190909b xx |||p|r|||| 00| 0 spa d | ||
| 040 | _cAR-sfUTN | ||
| 080 | _aH621.3 REV | ||
| 100 | _aLa Torre, Rubens | ||
| 245 | _aJunturas P-N difundidas en silicio | ||
| 336 |
_2rdacontent _atexto _btxt |
||
| 337 |
_2rdamedia _asin mediación _bn |
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| 338 |
_2rdacarrier _avolumen _bnc |
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| 505 | _aSe plantea la importancia que tiene actualmente la difusión en si como método de formación de junturas en dispositivos semiconductores | ||
| 650 | _aJUNTURAS P-N | ||
| 650 | _aDIFUSION EN SILICIO | ||
| 773 |
_tRevista electrotécnica _wH621.3 REV _nS.T.:H621.3 REV PP1879 _g(vol. 53, nro. 2, Mar-Abr. 1967), p. 48-56 |
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| 942 | _cAN | ||
| 999 |
_c31584 _d31584 |
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