000 | 00754nab a22002297 4500 | ||
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001 | H621.3 REV | ||
003 | AR-sfUTN | ||
008 | 190909b xx |||p|r|||| 00| 0 spa d | ||
040 | _cAR-sfUTN | ||
080 | _aH621.3 REV | ||
100 | _aTournois, M. | ||
245 | _aEmpleo de los diodos de silicio para la formación de unidades rectificadoras | ||
336 |
_2rdacontent _atexto _btxt |
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337 |
_2rdamedia _asin mediación _bn |
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338 |
_2rdacarrier _avolumen _bnc |
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505 | _aDetalle de las caracteristicas basicas de ensayo | ||
650 | _aDIODOS DE SILICIO | ||
650 | _aUNIDADES RECTIFICADORAS | ||
773 |
_tRevista electrotécnica _wH621.3 REV _nS.T.:H621.3 REV PP1825 _g(vol. 46, nro. 3, Mar. 1960), p. 99-112 |
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942 | _cAN | ||
999 |
_c31321 _d31321 |