Junturas P-N difundidas en silicio

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Se plantea la importancia que tiene actualmente la difusión en si como método de formación de junturas en dispositivos semiconductores
En: Revista electrotécnica (vol. 53, nro. 2, Mar-Abr. 1967), p. 48-56S.T.:H621.3 REV PP1879
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Se plantea la importancia que tiene actualmente la difusión en si como método de formación de junturas en dispositivos semiconductores

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