Análisis y diseño de circuitos integrados analógicos /
Paul R. Gray, Robert G. Meyer.
- México: Prentice Hall, 1995
- 792 p.
CONTENIDO CAPITULO 1 MODELOS PARA DISPOSITIVOS ACTIVOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS 1 1.1 Introducción 1 1.2 Región de agotamiento en una unión pn 1 1.3 Comportamiento de transistores bipolares a gran señal 10 1.4 Modelos en pequeña señal de los transistores bipolares 30 1.5 Comportamiento, a gran señal de los transistores de unión de efecto de campo 46 1.6 Modelo en pequeña señal del JFET 55 1.7 Comportamiento a gran señal de los transistores de efecto de campo Metal Oxido Semiconductor 59 1.8 Modelo de pequeña señal del transistor MOS en saturación 67 1.9 Efecto de canal corto en FET 72 1.10 Conducción subumbral en MOSFET 76 1.11 Flujo de corriente en el sustrato en MOSFET 79 A 1.1 Resumen de parámetros de dispositivos activos 81 CAPITULO 2 TECNOLOGIA DE CIRCUITOS INTEGRADOS BIPOLARES, MOS Y Bichos 89 2.1 Introducción 89 2.2 Procesos básicos en la fabricación de circuitos integrados 90 2.3 Fabricación de circuitos integrados bipolares de alto voltaje 102 2.4 Fabricación avanzada de circuitos integrados bipolares 105 2.5 Dispositivos activos en circuitos integrados analógicos bipolares 111 2.6 Componentes pasivos en los circuitos integrados bipolares 133 2.7 Modificaciones al proceso bipolar básico 143 2.8 Fabricación de circuitos integrados MOS 149 2.9 Dispositivos activos en los circuitos integrados MOS 154 2.10 Componentes pasivos en la tecnología MOS 167 2.11 Tecnología Bichos 172 2.12 Economía en la fabricación de circuitos integrados 173 2.13 Consideraciones de encapsulado para circuitos integrados 180 Apéndice A 2.1 Archivos de parámetros de modelo SPICE 185 CAPITULO 3 AMPLIFICADORES DE UNO Y DE DOS TRANSISTORES 193 3.1 Selección de modelo de dispositivo para el análisis aproximado de los circuitos analógicos 195 3.2 Etapas básicas de amplificación de un solo transistor 196 3.3 Etapas de amplificador de dos transistores 219 3.4 Pares acoplados en emisor 227 3.5 Pares FET acoplados en fuente 244 3.6 Efectos de desigualdad en dispositivos de amplificadores diferenciales 250 Apéndice A 3.1 Estadística elemental y la distribución de Gauss 260 CAPITULO 4 FUENTES DE CORRIENTE DE TRANSISTORES Y CARGAS ACTIVAS 269 4.1 Introducción 269 4.2 Fuentes de corriente 270 4.3 Fuentes de corriente como cargas activas 287 Apéndice A 4.1 Consideraciones de pareamiento en fuentes de corriente de transistores 317 A 4.2 Polarización independiente de la alimentación 322 A 4.3 Polarización independiente de la temperatura 333 A 4.4 Polarización en baja corriente 346 CAPITULO 5 ETAPAS DE SALIDA 355 5.1 Introducción 355 5.2 El emisor seguidor como etapa de salida 355 5.3 Etapa de salida de emisor común 370 5.4 Etapa de salida de base común 377 5.5 Etapa de salida en contrafase de clase B 378 CAPITULO 6 AMPLIFICADORES OPERACIONALES 409 6.1 Aplicaciones de los amplificadores operacionales 410 6.2 Desviaciones de lo ideal en amplificadores operacionales reales 420 6.3 Análisis de los amplificadores operacionales monolíticos 425 6.4 Consideraciones de diseño en amplificadores operacionales monolíticos 445 6.5 Amplificadores operacionales MOS 460 Apéndice A6.1 Cálculo de voltaje y corriente de desvío de entrada del 741 466 A6.2 Voltaje de desvío de entrada de amplificadores operacionales MOS 471 CAPITULO 7 RESPUESTA DE FRECUENCIA DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS 479 7.1 Introducción 479 7.2 Respuesta en frecuencia del amplificador de una etapa 479 7.3 Respuesta a la frecuencia del amplificador multietapa 500 7.4 Análisis de la respuesta en frecuencia del amplificador operacional 741 519 7.5 Relación entre la respuesta a la frecuencia y el tiempo de respuesta 524 CAPITULO 8 RETROALIMENTACION 535 8.1 Ecuación de retroalimentación ideal 535 8.2 Sensibilidad de la ganancia 537 8.3 Efecto de la retroalimentación negativa sobre la distorsión 538 8.4 Configuraciones de retroalimentación 540 8.5 Configuraciones prácticas y el efecto de la carga 547 8.6 Retroalimentación de una etapa 577 8.7 El regulador de voltaje como un circuito de retroalimentación 584 CAPITULO 9 RESPUESTA DE FRECUENCIA Y ESTABILIDAD DE LOS AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS 597 9.1 Introducción 597 9.2 Relación entre ganancia y ancho de banda en amplificadores retroalimentados 597 9.3 Inestabilidad y el criterio Nyquist 599 9.4 Compensación 607 9.5 Técnicas de lugar geométrico de la raíz 623 9.6 Rapidez de respuesta 642 CAPITULO 10 CIRCUITOS ANALOGOS NO LINEALES 661 10.1 Introducción 661 10.2 Rectificado de precisión 662 10.3 Multiplicadores analógicos que emplean el transistor bipolar 667 10.4 Lazos de seguimiento de fase (PLL) 681 10.5 Síntesis de las funciones no lineales 708 CAPITULO 11 RUIDO EN CIRCUITOS INTEGRADOS 715 11.1 Introducción 715 11.2 Fuentes del ruido 716 11.3 Modelos de ruido de componentes de circuitos integrados 724 11.4 Cálculos de ruido de circuito 728 11.5 Generadores equivalentes de ruido de entrada 737 11.6 Efecto de retroalimentación en el comportamiento al ruido 747 11.7 Comportamiento al ruido en otras configuraciones de transistores 756 11.8 Ruido en amplificadores operacionales 761 11.9 Ancho de banda del ruido 768 11.10 Figura de ruido y temperatura de ruido 773 Indice 785
9688805289
CIRCUITOS INTEGRADOS ANALOGICOS CIRCUITOS INTEGRADOS BIPOLARES CIRCUITOS INTEGRADOS MOS CIRCUITOS INTEGRADOS BICMOS AMPLIFICADORES FUENTES DE ALIMENTACION AMPLIFICADORES OPERACIONALES RETROALIMENTACION AMPLIFICADORES RETROALIMENTADOS CIRCUITOS ANALOGOS NO LINEALES RUIDOS EN CIRCUITOS INTEGRADOS