Tecnología de la difusión en silicio

Por: Analíticas: Mostrar analíticasTipo de contenido:
  • texto
Tipo de medio:
  • sin mediación
Tipo de soporte:
  • volumen
Tema(s):
Contenidos:
Se hace un breve analisis de la teoria de la difusion a fin de obtener junturas PN y calcular la penetracion de las mismas.
En: Revista electrotécnica (vol. 47, nro. 3, Mar. 1961), p. 83-95S.T.:H621.3 REV PP1837
Valoración
    Valoración media: 0.0 (0 votos)
No hay ítems correspondientes a este registro

Se hace un breve analisis de la teoria de la difusion a fin de obtener junturas PN y calcular la penetracion de las mismas.

No hay comentarios en este titulo.

para colocar un comentario.