La conmutación a un rendimiento superior
Analíticas: Mostrar analíticasTipo de contenido:- texto
- sin mediación
- volumen
Contenidos:
En: ABB Revista (nro. 3, 2008), p. 19-24S.T.:H621 ABB PP0422
Hace dos décadas, una variante aparentemente simple del MOSFET de potencia de silicio empezó a cambiar el panorama de la electrónica de potencia: el transistor bipolar de puerta aislada (IGBT). Esta revolución ha proseguido a lo largo del decenio de 1990 y en el nuevo milenio.
No hay ítems correspondientes a este registro
Hace dos décadas, una variante aparentemente simple del MOSFET de potencia de silicio empezó a cambiar el panorama de la electrónica de potencia: el transistor bipolar de puerta aislada (IGBT). Esta revolución ha proseguido a lo largo del decenio de 1990 y en el nuevo milenio.
No hay comentarios en este titulo.
Ingresar a su cuenta para colocar un comentario.