Circuitos electrónicos : análisis, diseño y simulación / N. R. Malik.

Por: Idioma: Español Detalles de publicación: Hemel Hempstead: Prentice-Hall, 1996Descripción: 1136 pTipo de contenido:
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  • 8489660034
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CONTENIDO
Capítulo 1. PRINCIPIOS DEL MODELADO Y PROCESAMIENTO DE SEÑAL 1
1.1 Sinergia hombre-computador 3
1.2 Características tensión-corriente y transferencia de los dispositivos 4
1.3 Amplificadores ideales 12
1.4 Entradas, salidas y cargas intermedias 17
1.5 Amplificadores diferenciales 23
1.6 Otras limitaciones de los amplificadores 39
Capítulo 2. AMPLIFICADORES OPERACIONALES 63
2.1 El amplificador operacional 63
2.2 Circuitos con operacionales sin memoria 65
2.3 Circuitos con amplificadores operacionales con memoria 76
2.4 Simulación de amplificadores operacionales de ganancia infinita 83
2.5 Efectos de segundo orden en amplificadores operacionales 87
2.6 Circuitos sin realimentación negativa 111
Capítulo 3. SEMICONDUCTORES, UNIONES P-N Y CIRCUITOS CON DIODOS 127
3.1 Conducción en aislantes y metales 128
3.2 Conducción en semiconductores intrinsecos 132
3.3 Semiconductores dopados 137
3.4 Difusión de huecos y electrones 144
3.5 La unión p-n en equilibrio 146
3.6 El diodo de unión 150
3.7 Modelos de diodos de gran señal 154
3.8 Modelo estático SPICE para el diodo 166
3.9 Circuitos no lineales conformadores de ondas 168
3.10 Circuitos conformadores de onda que utilizan amplificadores operacionales 186
3.11 El diodo como interruptor 192
3.12 Propiedades dinámicas de la unión p-n 194
3.13 Modelo dinámico SPICE para el diodo 202
3.14 Tipos especiales de diodos 204
Capítulo 4. TRANSISTORES BIPOLARES 219
4.1 Principios físicos 219
4.2 Modelos de Ebers-Moll 222
4.3 Estado activo directo 225
4.4 Estados de corte, saturación y activo inverso 229
4.5 La recta de carga 232
4.6 Transistor pnp 237
4.7 Análisis del punto Q 238
4.8 Modelo estático SPICE del transistor bipolar 251
4.9 Efectos de segundo orden 254
4.10 Modelo dinámico del transistor 264
4.11 La conmutación del transistor 265
4.12 Modelo dinámico SPICE del transistor bipolar 269
4.13 Fabricación de circuitos integrados 272
Capítulo 5. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO 291
5.1 El MOSFET de canal n 291
5.2 Análisis del punto de trabajo de los MOSFET 302
5.3 Resistencias FET y líneas de carga no lineales 311
5.4 MOSFET de canal p 317
5.5 Modelo estático SPICE para el MOSFET 322
5.6 Transistores de efecto de campo con puerta de unión 325
5.7 Análisis del punto de trabajo de los MESFET y JFET 333
5.8 Modelo SPICE estático del JFET 338
5.9 Efectos de segundo orden de los FET 341
5.10 Modelos dinámicos para los FETs 346
5.11 El FET como interruptor 349
Capítulo 6. CIRCUITOS DE POLARIZACION 371
6.1 Polarización y señales en circuitos analógicos 371
6.2 Técnicas de diseño de circuitos de polarización 375
6.3 Principios de diseño de circuitos de polarización 381
6.4 Variaciones en el diseño 387
6.5 Sensibilidad 394
6.6 Análisis de los circuitos de polarización en SPICE 399
6.7 Fuentes de corriente 407
6.8 Referencias de corriente especiales 426
Capítulo 7. AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES 451
7.1 Principios del análisis en pequeña señal 451
7.2 Modelos del transistor en pequeña señal 453
7.3 Circuitos equivalentes en pequeña señal 463
7.4 Amplificadores en emisor común y fuente común 468
7.5 Amplificadores en base común y puerta común 476
7.6 Amplificadores en colector común y drenador común 482
7.7 Análisis SPICE en pequeña señal 487
7.8 Amplificadores con varios transistores 489
7.9 Amplificadores diferenciales 503
7.10 Aspectos avanzados en el diseño y análisis en continua 539
Capítulo 8. RESPUESTA EN FRECUENCIA 565
8.1 Amplificador de banda ancha 565
8.2 Herramientas de análisis para dinámica de circuitos 567
8.3 Respuesta en baja frecuencia 570
8.4 Respuesta en alta frecuencia 584
8.5 Respuesta en frecuencia de amplificadores diferenciales de una etapa 609
8.6 Respuesta en frecuencia de amplificadores con dos transistores 618
8.7 Valores de los parámetros de los transistores bipolares 624
Capítulo 9. CIRCUITOS DE REALIMENTACION 645
9.1 Teoría de realimentación negativa ideal 645
9.2 Efectos sobre la sensibilidad, ancho de banda y distorsión 647
9.3 Clases de amplificadores realimentados 654
9.4 Teoría de realimentación cuando hay efectos de carga 661
9.5 Amplificadores FET y bipolares realimentados 667
9.6 Estabilidad de los amplificadores realimentados 680
9.7 Osciladores senoidales 695
Capítulo 10. CIRCUITOS Y SISTEMAS DE POTENCIA 725
10.1 Disipación de potencia en los transistores 726
10.2 Transistores de potencia y amplificadores de potencia 730
10.3 Amplificadores de clase A 732
10.4 Distorsión de no linealidad 739
10.5 Amplificadores en clase B 742
10.6 Amplificador en clase AB 748
10.7 Operacionales de potencia 761
10.8 Amplificador en clase D 764
10.9 Fuentes de alimentación 768
Capítulo 11. CIRCUITOS INTEGRADOS ANALOGICOS 789
11.1 El amplificador operacional de transconductancia 789
11.2 El amplificador operacional 741: Un caso a estudiar 797
11.3 Multiplicador analógico 812
11.4 PLL (bucle de captura de fase) 830
Capítulo 12. FILTROS 859
12.1 Conceptos básicos de filtros 859
12.2 Filtros activos de segundo orden 867
12.3 Filtros activos de paso bajo de orden n 886
12.4 Extensión de la teoría de los filtros pasivos a los activos 903
12.5 Circuitos de capacidades conmutadas 910
Capítulo 13. CIRCUITOS LOGICOS DIGITALES 927
13.1 Puertas lógicas ideales y aproximaciones prácticas 928
13.2 Circuitos lógicos NMOS y PMOS 932
13.3 Circuitos lógicos CMOS 943
13.4 Circuitos lógicos de arseniuro de galio 952
13.5 Circuitos lógicos TTL 959
13.6 Lógica de emisores acoplados 977
Capítulo 14. MEMORIAS, INTERCONEXION Y PRINCIPIOS DE TEMPORIZACION 997
14.1 Circuitos biestables 998
14.2 Circuitos monoestables 1010
14.3 Circuitos astables 1013
14.4 Temporizador integrado 555 1018
14.5 Principios y problemas de la interconexión 1022
14.6 Efectos en las líneas de transmisión 1048
14.7 Memorias de estado sólido 1073
APENDICE A. ANALISIS SPICE 1099
A.1 Análisis en continua 1099
A.2 Análisis en alterna 1101
APENDICE B. CUADRIPOLOS 1103
B.1 Definición de cuadripolo 1103
B.2 Parámetros z 1104
B.3 Parámetros y 1107
B.4 Parámetros h 1109
B.5 Parámetros g 1111
APENDICE C. PARAMETROS SPICE DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES 1117
INDICE ANALITICO 1123

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